-
نوع کاربری
اینترنال
-
فرم فاکتور
2280 M.2
-
رابط اتصال
PCIe NVMe
-
توضیحات اتصال
PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
-
ظرفیت حافظه
1 ترابایت
-
نوع حافظه فلش
Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
-
سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات
7000 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات
5000 مگابایت بر ثانیه
-
سرعت خواندن تصادفی اطلاعات
1,000,000IOPS
-
سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات
1,000,000IOPS
-
DRAM
بله
-
دمای عملیاتی
0 تا 70 درجه سانتیگراد
-
میانگین عمر
- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
-
پشتیبانی از NCQ
خیر
-
پشتیبانی از TRIM
بله
-
پشتیبانی از RAID
خیر
-
پشتیبانی از S.M.A.R.T
بله
-
سایر قابلیت ها
- قابلیت پایش دمای حافظه - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - پشتیبانی از DevSlp برای کاهش مصرف انرژی - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
-
ابعاد
2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر
-
وزن
9 گرم
-
نشانگر LED
خیر